삼성전자, 업계 최선단 14나노 EUV DDR5 D램 양산

삼성전자가 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에 공급한 바 있으며, 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화한 공정 기술력을 선보이고 있다.

삼성전자는 "반도체 회로를 더 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 D램의 성능과 수율을 향상해, 14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보해 나갈 계획"이라고 밝혔다.



이에 따르면 5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대보다 생산성이 약 20% 향상됐다. 또 삼성전자 14나노 D램 제품의 소비 전력은 이전 공정보다 약 20% 개선됐다.

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 (Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다.

DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격으로 최근 인공지능과 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화하면서 데이터 센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 꾸준히 커지고 있다.

삼성전자는 업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정 기술력을 바탕으로, 차별화한 성능과 안정된 수율을 구현해 DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다.

또 삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극적으로 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.